RAM Random Access Memory ウィキペディア
RAM (Random Access Memory) はコンピュータで使用する記憶装置の一分類であり、本来の意味では、複数の情報を記録し、記録順、記録位置等に関係なく読み出せるものの総称である。RAMは記録した情報へのアクセス方式による分類であり、機械的に記録順でしか情報にアクセスできない磁気テープなど逐次アクセスメモリ（SAM Sequential Access Memory）に対してつけられた呼称である。
一般的に RAM と呼ばれているものは読み書きが可能なので、読み出しのみ可能な ROM(Read Only Memory) と対比されることが多いが、本来は ROM に対して、読み書き可能な記憶装置は RWM (Read Write Memory) と呼ぶのが正確である。（例えば半導体 ROM はアクセス方式では RAM に分類されるものが一般的である。）しかしながら、現在では RAM と呼ぶ時は、RWM のことと誤用されている場合の方が一般的になっている。
コンピュータの読み書き可能な記憶装置としては、古くは水銀遅延線が使われ、その後は磁気コア（素子）を用いた磁気コアメモリが使用されていた。（水銀遅延線はSAMの分類になる。）コアメモリは円筒形のリング状の磁性体（磁気コア）を格子状に配置したものである。放射線などの影響を受けにくいため、宇宙開発などで最近まで用いられていた。現在ではコンピュータの主記憶装置のRAMはすべて半導体RAMになっている。
半導体 RAM は、記憶方式、構造などにより数多くの分類がされている。大きくは使用時の動作によって DRAM(Dynamic RAM, 動的RAM)と SRAM(Static RAM, 静的RAM) に分けられる。
DRAM は、記憶データをコンデンサの電荷として蓄えているため、定期的に情報を読み出し、再度書き込みをしないと自然放電によりデータが消えてしまう。この動作をリフレッシュといい、記憶を保持するのに１秒間に数十回の頻度で繰り返しリフレッシュを行う必要があることからダイナミック（＝動的）RAMと呼ばれるようになった。アドレスを指定してからデータを読み出すまでの時間はSRAMよりも若干遅いものの、記憶部の構造が単純で、容量あたりのコストが安いと言う特徴がある。DRAM のアクセス方式によって様々な種類のものが市販されている。
SRAM は記憶部にフリップフロップ回路を用いており、リフレッシュ動作が必要ない。原理的にDRAMより高速動作させることができるが、記憶部の回路が複雑になるため容量あたりのコストが高い。電気回路のかわりに記憶素子として磁性体を用いる MRAM も SRAM の一種である。